Der SuperGaN Gen V FET von Transphorm bietet den weltweit niedrigsten ON-Widerstand und zielt auf Anwendungen für Elektrofahrzeuge

GOLETA, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen Hochleistungs-Galliumnitrid-Leistungsumwandlungsprodukten (GaN) – kündigte heute die Bemusterung seines ersten Gen-V-Gerätes unter seiner geschützten Marke SuperGaNTM an. Der TP65H015G5WS, der neue Gen-V-Baustein von Transphorm, zielt auf den Markt für Elektrofahrzeuge (Electric Vehicles, EV) ab und bietet branchenführende Leistungsverbesserungen, einfache Designbarkei